다음 주중 공식 발표하기로

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 성장 동력으로 꼽고 있는 3나노미터(㎚=10억분의1ｍ) 반도체 공정 양산을 본격화한다. 3나노 반도체 양산은 세계 최초로, 삼성은 다음 주중 이를 공식 발표할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 22일 그간 시장에서 제기된 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 양산 지연 우려와 관련해 “처음 계획했던 대로 일정이 진행되고 있다”고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올 상반기 안에 경쟁사 대만 TSMC보다 먼저 3나노 반도체 양산을 시작하겠다는 목표를 제시한 바 있다.

GAA는 기존 핀펫(3D 구조화) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다. 반도체 소형화와 고성능화를 함께 실현할 수 있어 업계에서는 3나노 GAA공정이 시장 점유율을 좌우할 ‘게임 체인저’가 될 것으로 보고 있다.

이재용 삼성전자 부회장은 지난달 조 바이든 미국 대통령의 평택 반도체 공장 방문 당시 한미 양국 정상에게 이 기술을 적용한 3나노 시제품을 소개하며 양산을 앞두고 있음을 예고하기도 했다. 삼성전자는 이달 중 3나노 반도체 양산을 시작으로 내년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 착수하는 ‘초격차 기술’ 전략으로 파운드리 1위 기업 TSMC와의 점유율 격차를 단기간에 따라잡겠다는 계획이다.

2030년 시스템 반도체 분야 1위 달성을 목표로 한 ‘시스템 반도체 2030 비전’을 2019년 발표한 삼성전자는 반도체 공정 고도화를 이끌 대규모 설비 투자도 진행하고 있다.

최근 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC는 올 1분기 기준 파운드리 시장점유율 53.6%로 압도적인 1위를 유지한 반면 2위 삼성전자는 점유율 16.3%로 지난해 4분기(18.3%)보다 소폭 하락한 것으로 집계됐다. 이에 대해 삼성전자 관계자는 “파운드리 매출을 따로 공개하지 않는데 조사기관이 임의로 추산한 것이라 정확한 통계가 아니다”라고 일축했다.