1초 만에 30GB UHD영화 2편 처리
소비전력 기존 제품보다 23% 개선
데이터센터·AI 등 응용처에 공급

하반기부터 반도체 시장 반등 전망
위축됐던 매출 회복·재도약 전략

글로벌 D램 시장 부동의 1위 삼성전자가 반도체 기술력의 한계를 또 한번 뛰어넘으며 세계 최초로 12나노미터(㎚·10억분의1ｍ) D램 시대를 열었다.

내년 상반기까지는 ‘메모리 혹한기’가 지속될 전망이지만, 시장이 반등하는 하반기부터는 초격차 기술력을 바탕으로 그간의 매출 하락을 빠른 속도로 회복하고 재도약한다는 게 삼성의 전략이다.

삼성전자는 업계 최소 선폭인 12나노 DDR5 D램을 개발하고 최근 미국 AMD와 함께 호환성 검증까지 마쳤다고 21일 밝혔다. 지난해 10월 업계 최초로 14나노 DDR5 D램 양산에 들어간 삼성전자는 내년부터 신제품 양산을 본격화할 예정이다. 신제품은 반도체 제작 원판인 실리콘 웨이퍼에 유전율이 높은 신소재를 적용해 칩 내부 전하를 저장하는 공간인 ‘커패시터’ 용량을 높였다. 유전율은 전기적 특성이 없는 부도체의 전자기파 진행 능력을 의미하는데, 웨이퍼의 유전율 향상은 곧 D램 성능 향상을 위한 선행 조건으로 꼽힌다.신공정을 통해 소비 전력은 기존 제품 대비 약 23% 개선됐고, 최대 동작 속도는 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 초고화질(UHD) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다. 소비 전력량이 줄었다는 점에서 기후위기 극복을 위한 정책을 강화하고 있는 유럽과 글로벌 정보기술(IT) 기업들의 수요가 늘어날 것이라는 기대감도 나온다.

삼성전자는 신제품에 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 더욱 세밀하게 회로를 설계하는 방식으로 생산성을 기존 제품 대비 20% 높였다. 웨이퍼 한 장으로 만들 수 있는 D램의 수량이 20% 증가한다는 의미다. 삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이며, 데이터센터·인공지능·차세대컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(부사장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라면서 “이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객의 지속가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것”이라고 말했다.

업계 관계자는 “위기에 더욱 공격적인 투자와 연구개발로 새로운 기회를 창출한다는 삼성전자의 전략을 신기술 확보로 증명해 보이고 있다”면서 “내년 하반기부터는 기업의 메모리 수요가 회복될 것으로 보이는 만큼 삼성의 메모리 시장 지배력 또한 더욱 커질 것”이라고 내다봤다.