3분기 손실폭 줄이며 반등 예고

D램 2분기 만에 흑자 전환으로
영업손실 38% 줄여 1조 8000억
내년 HBM·DDR5 투자 더 늘려
D램 10나노 4·5세대 중심 공정
“키옥시아·WD 합병 동의 안 해”

메모리 시장 불황으로 깊은 적자의 늪에 빠진 SK하이닉스가 3분기 영업손실폭을 직전 분기의 40% 수준으로 줄이며 본격적인 반등을 예고했다. 메모리 감산과 시설 투자 50% 축소 등 초긴축 경영을 이어 온 SK하이닉스는 내년부터는 고대역폭 메모리(HBM)와 5세대 D램(DDR5) 등 첨단 고부가 제품을 중심으로 투자를 늘리며 실적 회복에 더욱 속도를 낸다는 전략이다.

SK하이닉스는 연결 기준 올해 3분기 영업손실 1조 7920억원으로 지난해 동기(영업이익 1조 6605억원) 대비 적자 전환한 것으로 잠정 집계됐다고 26일 공시했다. 매출은 9조 662억원으로 전년 동기 대비 17.5% 감소했고 순손실도 2조 1847억원(순손실률 24%)으로 적자로 돌아섰다.

실적 자체만 놓고 보면 1조 8000억원대 적자이지만 업계는 지난해 3분기 매출 10조 9829억원, 영업이익 1조 6605억원을 마지막으로 적자로 돌아선 SK하이닉스가 최근 3개 분기 연속으로 적자폭을 크게 줄여 온 점에 주목하고 있다. 앞서 SK하이닉스는 올해 1분기 3조 4023억원, 2분기 2조 8821억원 규모의 적자를 냈다.

하지만 3분기에는 메모리 시장의 양대 축 중 하나인 D램이 2개 분기 만에 흑자로 전환하며 더딘 회복세를 보이고 있는 낸드플래시의 빈틈을 메웠다. 구체적으로 글로벌 빅테크들의 생성형 인공지능(AI) 개발 경쟁에 따라 수요가 급증하고 있는 AI용 메모리 HBM3와 고용량 DDR5 등 SK하이닉스의 D램 주력 제품 호황으로 전체 매출은 전 분기(7조 3059억원)보다 24% 늘었다. 영업손실은 전 분기 대비 38% 줄었다.

SK하이닉스는 “고성능 메모리 제품 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영 실적은 지난 1분기를 저점으로 해 지속적으로 개선되고 있다”면서 “무엇보다 올해 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 두고 있다”고 말했다.

업계에서는 4분기부터는 D램과 낸드의 가격이 동반 상승하며 업황 회복 속도가 더욱 빨라질 것으로 보고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 4분기 D램 평균 판매단가(ASP)가 3~8% 상승할 것으로 전망했다.

SK하이닉스는 이런 시장 변화에 맞춰 HBM과 DDR5, LPDDR5 등 고부가 주력 제품에 대한 투자를 늘리기로 했다. D램 10나노 4세대(1a)와 5세대(1b) 중심으로 공정을 전환하는 한편 HBM과 TSV(실리콘 관통 전극)에 대한 투자를 확대할 계획이다. SK하이닉스는 실적 발표 직후 진행한 콘퍼런스콜(전화회의)에서 “2024년 말까지 D램 10나노 4세대와 5세대 생산 비중이 절반 이상을 차지할 수 있도록 할 것”이라고 말했다.

삼성전자와 경쟁 중인 HBM 제품에 대한 자신감도 드러냈다. SK하이닉스는 “HBM3뿐 아니라 HBM3E까지 내년도 캐파(생산능력)가 ‘솔드아웃’됐다”며 “고객의 추가 수요 문의도 들어오고 있어 수요 기반 관점에서 보면 확실한 가시성을 가지고 있다”고 밝혔다.

낸드 시장 점유율 2위(19.1%) 일본 키옥시아(옛 도시바메모리)와 4위(16.1%) 미국 웨스턴디지털의 경영 통합 추진에 동의하지 않는다는 입장도 처음으로 밝혔다. 두 회사 통합에는 최대 주주인 한미일 연합 컨소시엄을 통해 키옥시아에 간접 출자한 SK하이닉스의 동의가 필요하다. SK하이닉스는 약 4조원을 컨소시엄에 투자했다.