중국에 반도체 제조업체 세워 기술 유출
전직 임원·연구원 2명 구속 송치

개발비만 4조 3000억원이 투입된 국가 핵심 반도체 기술을 중국으로 유출한 전직 삼성전자 임원과 연구원이 구속 상태로 검찰에 넘겨졌다.

서울경찰청 산업기술안보수사대는 중국에 반도체 제조업체 청두가오전(CHJS)을 설립해 삼성전자의 기술을 유출하고 부정 사용한 혐의로 대표 최모(66)씨와 공정설계실장 오모(60)씨를 구속 송치했다고 10일 밝혔다.

삼성전자 임원으로 국내 반도체 업계 권위자로 불리던 최씨는 2015년 싱가포르에서 반도체 업체를 처음 설립해 2018년까지 주로 반도체 컨설팅 사업을 했다. 이후 해외 반도체 공장 건설을 추진하다 실패하자 중국 지방 정부의 투자를 받아 2020년 9월 청두가오전을 설립한 것으로 조사됐다.

최씨는 삼성전자에서 수석 연구원을 지낸 오씨를 비롯한 기술 인력을 영입해 20나노급 D램 메모리 반도체 공정 단계별 핵심 기술을 유출한 것으로 조사됐다. 최씨 등이 빼돌린 기술은 삼성전자가 독자개발한 18나노급·20나노급 D램 반도체 제조 기술이다.

청두가오전은 2021년 1월 공장 건설에 착수해 1년 3개월 만인 2022년 4월에 시범 웨이퍼를 생산했다. 지난해 6월에는 개발에 성공해 결함을 없애는 단계까지 접어들었다. 이전 세대 D램 개발 경험이 있는 반도체 제조업체도 일반적으로 새로운 세대의 D램 반도체 개발에는 4~5년이 소요된다. 다만 이번 수사로 공장 운영이 중단됐으며, 유출 기술로 인한 실질적 수익은 없는 것으로 파악됐다.

경찰에 따르면 삼성전자의 18나노급 공정 개발 비용은 약 2조 3000억원이며 20나노급 공정 개발 비용은 약 2조원에 달한다. 유출된 기술의 경제적 가치는 4조 3000억원으로 추산된다.

경찰은 지난해 2월 첩보를 입수해 8월부터 피의자 주거지 및 사무실에 대한 압수수색, 증거자료 포렌식 등을 통해 수사에 나섰다. 경찰은 청두가오전으로 이직한 임직원들도 추가 입건해 관련 혐의가 있는지 수사 중이다. 경찰 관계자는 “경제안보의 근간을 뒤흔든 사안”이라면서 국내 기술 인력이 해외로 이직하는 과정에서 다른 기술 유출이 있었는지도 살펴보고 있다.